随着光电子器件集成度的提高,器件尺寸已经纳米尺度,量子效应显示出来,主导了低维材料和器件的性能。为了研究低维材料与器件的结构与性能之间的关系,北京高能光源(HEPS)设计了低维结构探针线站(LoDiSP),提供以相干表面X射线散射为核心的一系列方法,为低维材料与器件的研究提供了强有力的支撑平台。在其后实验站,我们将发展原创的倏逝波调制技术,解决复杂功能化合物的应用瓶颈问题,打通复杂化合物功能材料走向类硅工业化应用的道路,并开展低维量子相变研究和电子驻波的量子相干研究。
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