秦国刚，半导体材料物理专家。1934年3月19日生于南京，原籍江苏昆山。1961年新普京澳门娱乐场网站站app物理系研究生毕业。新普京澳门娱乐场网站站app教授。2001年当选为中国科学院院士。

长期从事半导体材料物理研究。在半导体杂质与缺陷领域研究中，最早揭示硅中存在含氢的深中心发现退火消失温度原本不同的各辐照缺陷在含氢硅中变得基本相同发现氢能显著影响肖特基势垒高度。测定的硅中铜的深能级参数被国际权威性半导体数据专著采用。在多孔硅和纳米硅镶嵌氧化硅光致发光和电致发光方面的研究中，对光致发光提出量子限制－发光中心模型，得到国际广泛支持发现p型硅衬底上氧化硅发光中心电致发光现象，在此基础上，设计并研制出一系列硅基电致发光新结构。所提出的电致发光机制模型被广泛引用。